삼성전자의 GAA(Gate-All-Around) 기술은 반도체 미세공정의 한계를 극복하고 성능과 효율성을 획기적으로 향상시키는 차세대 트랜지스터 구조입니다. 삼성은 이를 기반으로 한 MBCFET(Multi-Bridge Channel FET) 기술을 개발하여 경쟁사보다 한발 앞서 3나노 공정부터 양산을 시작했습니다.🔍 GAA 기술의 핵심 개념기존 FinFET vs. GAA: 기존의 FinFET 구조는 트랜지스터의 채널을 세운 형태로 전류를 제어합니다. 그러나 미세화가 진행됨에 따라 전류 누설 등의 문제가 발생하여 한계에 부딪혔습니다. GAA는 트랜지스터의 채널을 전방위로 감싸는 구조로, 전류 제어를 더욱 정밀하게 할 수 있습니다.삼성의 MBCFET: 삼성은 GAA 기술을 발전시켜 'MBCFET'을 개발했..
